檢索結果：共63筆資料 檢索策略： "電子工程系".cdept (精準) and cadvisor.raw="莊敏宏"
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此篇論文提出了以無接面金氧半場效電晶體觸發之功率橫向絕緣閘極雙極性電晶體。傳統的絕緣閘極雙極性電晶體中，藉由導通元件的PN二極體，進而有效的降低漂移區的串聯電阻，即為傳導調變效應。但這種功率元件…
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近年來，由於電子產品以及電力交通工具的蓬勃發展，使得功率積體電路的應用越來越廣。絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)同時具有高電流與高…
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電子產品的發展日新月異，使得功率積體電路的應用越來越廣泛。 功率金氧半場效電晶體具有高輸入阻抗、高切換速度、小的元件尺寸、以及可承受大電壓和大電流的優點，因此是最常應用在功率積體電路的元件之一。 然…
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電子科技發展迄今數十多年，已讓整個高科技產業的產品都脫離不開電子元件的使用，隨著電晶體的微縮下因而產生所謂的短通道效應，除此之外，導通電流也大幅度降低。 無接面型金氧半場效電晶體由於沒有接面的產…
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近年來，碳化矽(SiC)被廣泛研究使用，而隨著功率元件的蓬勃發展，將碳化矽用來作為功率元件的材料之研究也越來越多，因此本論文即是在探討用碳化矽來當作材料之功率電晶體之研究。 此研究目的就是致力於製作…
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首先，第一部分我們研究雙電容交叉耦合注入鎖定除頻器的鎖頻範圍屬性，此除頻器實現於台積電矽鍺0.18 μm製程。此除頻器使用三個電感而晶片的面積為0.87×0.89mm2。此除頻器注入-20dB…
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本論文提出三個除頻器，第一個電路先描述一個低功耗除二寬鎖頻範圍注入鎖定除頻器，使用 TSMC 0.18 μm CMOS製程。此注入鎖定除頻器是除二電路。量測結果為供應電壓0.4 V，核心電流為3.8…
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相較於功率金屬氧化物半導體場效電晶體與功率穿隧型場效電晶體，功率橫向絕緣閘極雙極性電晶體已經被提出在同樣耐壓下擁有較低的導通阻抗。原因為藉由穿隧電流導通元件的PN接面(P+-anode/n-drif…
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隨著電子產業的進步，傳統型金氧半電晶體在尺寸微縮化之後面臨一些可靠度問題，例如短通道效應、熱載子效應、汲極引起位障降低效應、閘極引起汲極漏電流效應。然而，穿隧型場效電晶體的工作原理與傳統金氧半元件有…
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本論文主要研究功率半導體元件，而做為開關器使用之功率半導體元件，理想上的導通狀態為短路，並且在截止狀態為開路；在市面上像是傳統的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)在耐高電壓時有過大的串聯…